国星光电：两大研发Micro-LED项目进入试产阶段，MLED扩产项目产能新增超20%

    国星光电透露，“高亮度、高对比度Micro-LED显示器件全彩化与集成封装研究”和“4K/8K 超高清全彩Micro-ED显示关键技术研究”两大研发项目进入试产阶段。

    “高亮度、高对比度Micro-LED显示器件全彩化与集成封装研究”从国家政策、社会发展等方面对大屏幕4K/8K 超高清显示的重大需求出发，结合国内外全彩Micro-LED 显示屏的主要发展趋势，突破全彩化封装技术等产业核心技术瓶颈，开发出满足市场对交互性更强、显示性能更好等需求的高亮度、高对比度Micro-LED 显示器件及模组。带动产业链上下游各行业发展，进一步巩固我国在显示应用领域的优势地位。

    4K/8K 超高清全彩Micro-ED显示关键技术研究”项目通过研究高密度IMDMini/Micro-LED 集成封装技术研究、Mini/Micro-LED 显示器件高兼容度像素剪裁制造技术研究、Micro-LED 芯片巨量转移技术研究等技术难题，研制出高性能Mini/Micro-LED 显示器件及显示模组，相关技术将打破韩国三星、美国苹果以及日本索尼等国际巨头企业垄断封锁，填补本土高端应用领域空白，实现4K/8K 在高清显示领域高效快速发展，巩固国星光电在显示应用领域的优势地位。

    在芯片开发方面，国星光电表示，已经开发出应用于数字化车灯的万级像素Micro LED 光源模组，在65 平方毫米的发光区域实现超4 万像素单元的高密度、高精度集成；公司开发出行业单块尺寸最大高像素密度10 英寸AM Micro LED 全彩显示模组，突破了巨量转移及巨量键合双重技术难题，Mini LED 背光模组全年实现营收翻番、轻薄显示模组市场推广取得突破性进展、

    值得一提的是，产业布局持续优化。公司吉利产业园项目首批超高清Mini&Micro LED 显示扩产项目实现产能新增超20%；“百千万工程”高州LED 高端模组产线实现快速投产，有效促进了区域经济协调发展。2024年，公司轻薄显示模组线、光耦高附加值产品线、集成封测技改等新项目陆续达产，设备“以旧换新”累计投入达1.6 亿元，生产效率大幅提升，进一步巩固了关键细分赛道优势，培育了新的业绩增长点。

    国星光电表示，2025年将围绕Micro&Mini LED、第三代半导体先进封测、高清显示、车载光应用、光电传感等领域，集中力量突破技术瓶颈，抢占行业技术高地。同时，加速新产品研发量产进程，加快GOB 显示面板、车用HUD 大功率器件产业化进程，推动显示模组向智慧显控升级，以及光电传感向工业领域拓展。通过创新产品驱动产业升级。加快技术创新的经济效益转化，提升产品在市场竞争力，以技术红利进一步拓展市场份额。